Samsung anunció que comenzó a producir en masa de la primera memoria DDR4 SO-DIMM de 32 GB a 10 nm para portátiles gaming. Comparado con las memorias DDR4 SO-DIMM de 16GB, construidas en un proceso de 20nm, lanzadas en 2014, el nuevo módulo de 32GB duplica la capacidad. También es un 11 por ciento más rápido y aproximadamente un 39 por ciento más eficiente en su energía.
Por ejemplo, una laptop con 64 GB configurado con dos módulos DDR4 de 32 GB consume menos de 4,6 vatios en modo activo, y menos de 1,4 vatios en estado de inactividad. Este proceso de fabricación a 10nm de la firma también se extenderá a dispositivos móviles, gráficos, PCs y servidores, y luego al de las supercomputadoras y las automotrices.
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Francisco Carrasco, periodista chileno especializado en tecnologías de la Información desde hace más de 15 años. Trabajó como periodista y editor en las revistas especializadas ComputerWorld y PC World Chile de la editorial americana IDG durante 6 años y fue editor para Latinoamérica de CIO America Latina, y PC World en Español, y mantiene su blog hace 10 años www.it-review.cl.
Además en los últimos años ha cumplido roles de editor y asesor de contenidos para varias empresas tecnológicas multinacionales tanto del área del software como del hardware. Así también es colaborador de tecnología por cerca de 2 años de Ediciones Especiales del Diario La Tercera desde 2010-2012 y posteriormente colaboro en Ediciones Especiales de El Mercurio y Chile Tecnológico.
