Los dispositivos, que ya comenzaron a fabricarse masivamente, utilizan el sistema Universal Flash Storage incrustado (eUFS) 2.1, y, según Samsung, se trata de la primera memoria eUFS que alcanza 1TB de memoria en el mercado, y presenta un tamaño de 11.5 x 13 milímetros, el mismo que la versión con 512GB de espacio de almacenamiento, combinando 16 capas de memorias V-NAND flash.
De acuerdo con Portaltic, ofrecen una velocidad de transmisión de datos de 1.000 megabytes por segundo y una velocidad de lectura secuencia el doble de rápida que una memoria SATA SSD de 2.5 pulgadas y una lectura aleatoria un 38% más rápida que la versión de 512GB.
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Francisco Carrasco, periodista chileno especializado en tecnologías de la Información desde hace más de 15 años. Trabajó como periodista y editor en las revistas especializadas ComputerWorld y PC World Chile de la editorial americana IDG durante 6 años y fue editor para Latinoamérica de CIO America Latina, y PC World en Español, y mantiene su blog hace 10 años www.it-review.cl.
Además en los últimos años ha cumplido roles de editor y asesor de contenidos para varias empresas tecnológicas multinacionales tanto del área del software como del hardware. Así también es colaborador de tecnología por cerca de 2 años de Ediciones Especiales del Diario La Tercera desde 2010-2012 y posteriormente colaboro en Ediciones Especiales de El Mercurio y Chile Tecnológico.
