Junto a HP, la empresa de almacenamiento se han unido para crear tecnología de almacenamiento que supera en 1.000 veces la velocidad de las memorias flash NAND. La nueva tecnología se marca como objetivo este ratio para competir con otra iniciativa similar, de Intel y Micron.
La promesa de estas empresas es que están preparando una nueva tecnología de almacenamiento, que será 1.000 veces más rápida que la memoria flash. Los detalles son escasos, pero su objetivo pasa por crear una “memoria universal” que sirva como almacenamiento y memoria RAM a largo plazo, según el Wall Street Journal. Su fecha de salida podría situarse entre 2018 y 2020.
Los PCs aún ofrecen memoria RAM y almacenamiento por separado. Los programas y archivos se suelen almacenar en la memoria flash, pero durante su uso algunos se alojan en la memoria RAM para acceder a ellos más rápidamente. Si se unificaran ambas capacidades de almacenamiento, la de corto y largo plazo, el rendimiento del PC podría aumentar de forma espectacular.
HP y SanDisk no son las únicas compañías con la vista puesta en la siguiente generación de memorias. Es el caso de Intel y Micron que anunciaron su asociación para crear un nuevo tipo de almacenamiento, con la misma pretensión de elevar en hasta mil veces la capacidad actual. La tecnología se conoce comercialmente como Intel Optane (antes 3D XPoint), y está previsto que llegue al mercado en 2016, muy por delante de HP y SanDisk. Ambos contendientes no sólo buscan llegar a los servidores, sino también a portátiles.
Parece que se avecina una competencia feroz por este segmento, como vaticina la misma información del diario neoyorkino, que asegura que los dos grupos en liza no tienen previsto licenciar la futura tecnología a otros fabricantes, como Seagate o Samsung.
