Intel y Micron acaban de anunciar un nuevo tipo de memoria hasta 1.000 veces más rápida y duradera que una memoria NAND, realizada con tecnología 3D XPoint. Esta nueva tecnología multiplicará de forma exponencial el rendimiento y, según ambas compañías, es la mayor innovación este campo en más de 25 años.
Se trata de un nuevo tipo de memoria que dispara el rendimiento y resistencia de las memorias NAND. Sus dos impulsoras aseguran que es la mayor innovación en este campo de los últimos 25 años desde que apareciera NAND en 1989 y que abrirá paso a nuevos modos de computación.
«Es un gran avance tecnológico», explica Rob Cooke, vicepresidente de Intel responsable del grupo de memorias no volátiles. Según el directivo, “durante décadas, la sector ha buscadoformas de reducir el tiempo de demora entre el procesador y los datos para permitir un análisis mucho más rápido. Esta nueva clase de memoria no volátil logra este objetivo y ofrece un rendimiento que cambia las reglas del juego de las soluciones de memoria y almacenamiento”.
Ambos fabricantes insisten en que no se vea como una mejora de NAND, sino como una nueva categoría de memoria no volátil que incluso puede funcionar como memoria o almacenamiento principal, porque es no volátil. Incluso podría utilizarse como la única tecnología de memoria de un ordenador. o conjuntamente con la DRAM tradicional. Tampoco es comparable a NAND 3D, tecnología que solo aumenta la densidad de NAND.
Aunque aún se encuentra en la fase temprana de desarrollo, 3D XPoint podría llegar al mercado el próximo año y, como prueba de los avances realizados, Intel y Micron ya han mostrado una oblea real compuesta de 3D XPoint.
La futura memoria se fabricará en las plantas que tienen ambas compañías en Lehigh, Utah.Aunque no se ha desvelado el coste de su desarrollo, el director general de Micron ha reconocido que “no ha sido barato».
